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1、HiTransferTM AlSiC系列
HiTransferTM AlSiC Based Material Properties
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Properties
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AlSiC-7
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AlSiC-9
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AlSiC-11
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Thermal Conductivity (25°C)
W/m·K
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180
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180
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175
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Coefficient of Thermal Expansion (25~125°C)
ppm/K
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7.2
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9.3
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11.2
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Density, g/cm3
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3.01
|
2.93
|
2.89
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Young’s Modulus, GPa
|
195
|
175
|
172
|
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Flexural Strength, MPa
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405
|
390
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383
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2、AlSiC产品应用与设计指南
（1）AlSiC作为封装材料的基本特点
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热膨胀系数低（可调节）：与Si、GaAs、AlN等无机陶瓷基片材料热匹配良好；
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热导率高：大大高于Kovar合金，可有效地扩散大功率芯片产生的热量；
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密度小：密度大大低于W/Cu、Mo/Cu和Kovar合金，可有效减重；
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比强度和比模量高： 比模量是Kovar和W/Cu的4倍、Mo/Cu的2倍。
典型封装及散热材料的性能对比
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AlSiC
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Kovar
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Cu/W(15/85)
|
Cu/Mo(15/85)
|
Copper
|
Al
|
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CTE (ppm/K)
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4.8-16
|
5.9
|
7.2
|
7
|
17
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24
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Thermal Cond.
(W/m·K)
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132-255
|
14
|
190
|
160
|
400
|
210
|
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Density
(g/cm3)
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2.77-3.1
|
8.1
|
17
|
10
|
8.9
|
2.70
|
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Specific
Stiffness
(GPa·cm3/g)
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38-108
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16
|
16
|
28
|
5
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26
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（2）AlSiC封装基片与管壳加工的尺寸与形状精度
应用于封装领域的中高体积分数AlSiC材料可以进行电火花加工和车铣钻磨等机械加工，我们以提供全部为加工表面的AlSiC封装基片和管壳为主，垂直面无拔模斜度。目前可达到的加工精度如下：
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平面度：<0.05mm (100mm)
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长宽高度：±0.02mm (max)
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表面粗糙度：<1.6mm
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通孔直径：F>0.3mm
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盲孔直径：F>2.5mm
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内腔圆角：R>1.0mm
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腔体或台阶根部圆角：R>0.1mm
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螺纹孔：M>2.5mm
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台阶孔及内腔圆角加工示例 |
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3、HARVEST产品的工艺与技术特点
（1）高强度SiC预制件制备技术
通过采用高性能的粘结剂，所制备的SiC陶瓷预制件的弯曲强度可达20MPa，可承受浸渗过程中的高压。
（2）高性能AlSiC真空压力浸渗技术
采用高效、可靠的真空压力浸渗工艺，制备的AlSiC复合材料具有浸渗均匀、致密、界面反应小等优点。
（3）高精度AlSiC加工技术
采用通用刀具和设备对AlSiC进行高精度的机械加工, 产品尺寸、形状精度高，可更好地满足各类封装应用的要求。
（4）高质量AlSiC表面镀覆技术
AlSiC表面可进行化学镀Ni-P、镀Au等处理，可满足400°C、10min或420°C、5min的高温考核要求。